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AOW480
80V N-Channel MOSFET
SDMOS TM
General Description
Product Summary
The AOW480 is fabricated with SDMOS TM trench
technology that combines excellent R DS(ON) with low gate
charge & low Q rr .The result is outstanding efficiency with
controlled switching behavior. This universal technology is
well suited for PWM, load switching and general purpose
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS = 7V)
80V
180A
< 4.5m ?
< 5.5m ?
applications.
100% UIS Tested
100% R g Tested
TO-262
D
Top View
Bottom View
G
G
D
S
S
D
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
80
±25
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
T C =25°C
T C =100°C
I D
I DM
180
134
500
A
Continuous Drain
Current
Avalanche Current
C
T A =25°C
T A =70°C
I DSM
I AS ,I AR
15
12
90
A
A
Avalanche energy L=0.1mH C
E AS ,E AR
405
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
333
167
1.9
1.2
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
12
54
0.35
15
65
0.45
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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AOW4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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AOWF10T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-262F 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:1,000
AOWF10T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1595pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000